吉時利源表在半導體分立器件 I-V特性測試方案
半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來決定器件的基本參數。微電子器件種類繁多，引腳數量和待測參數各不相同，除此以外，新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求，要求測試設備具備更高的低電流測試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗，幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。
隨著器件幾何尺寸的減小，半導體器件特性測試對測試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微鏡性能都提出了更高的要求。
半導體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作伙伴使用泰克吉時利公司開發的高精度源測量單元(SMU)為核心測試設備，配備使用簡便靈活，功能豐富的CycleStar測試軟件，及精準穩定的探針臺，為客戶提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶的工作效率。
I-V特性測試難點：
1、種類多
微電子器件種類繁多，引腳數量和待測參數各不相同，此外，新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求，要求測試設備具備更高的低電流測試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。
2、尺寸小
隨著器件幾何尺寸的減小，半導體器件特性測試對測試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微鏡性能都提出了更高的要求。
I-V特性測試方案：
針對I-V 特性測試難點，安泰測試建議可采用keithley高精度源測量單元(SMU)為核心測試設備，配備使用簡便靈活、功能豐富的 CycleStar 測試軟件，及精準穩定的探針臺。
吉時利方案特點：
豐富的內置元器件庫，可以根據測試要求選擇所需要的待測件類型;
測試和計算過程由軟件自動執行，能夠顯示數據和曲線，節省了大量的時間;
精準穩定的探針臺，針座分辨率可高達0.7um，顯微鏡放大倍數最高可達x195倍;
最高支持同時操作兩臺吉時利源表，可以完成三端口器件測試。
測試功能：
二極管特性的測量與分析
極型晶體管BJT特性的測量與分析
MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析
MOS 器件的參數提取
系統結構：
系統主要由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設備：
1、兩臺吉時利 2450 精密源測量單元
2、四根三同軸電纜
3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺
4、三同軸T型頭
5、上位機軟件與源測量單元(SMU)的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個接口進行連接。
系統連接示意圖：
以上就是吉時利源表在半導體分立器件 I-V特性測試方案，更多信息歡迎登陸安泰測試。
